Samsung presenta la solución UFS 5.0 más rápida de la industria para la próxima generación de aplicaciones de IA en el dispositivo

La solución UFS 5.0 de Samsung alcanza la mayor velocidad de transferencia de datos de la industria. De 10,8 GB/s.

Lo que permite un almacenamiento y procesamiento más rápidos en memorias móviles.

Mayor eficiencia energética y un paquete más compacto. Ofrecen experiencias optimizadas de IA en móviles.

Santiago de Chile, 24 de junio de 2026 – Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en tecnologías avanzadas de memoria, anunció hoy que ha desarrollado, por primera vez en la industria, la solución Universal Flash Storage (UFS) 5.0 más rápida del sector.

Que ayudará a hacer posibles servicios de inteligencia artificial más eficientes y fluidos. En futuros dispositivos móviles.

Este avance establece un nuevo referente para el mercado de memoria móvil de próxima generación.

Ya que se espera que el rendimiento mejorado permita a los usuarios tiempos de respuesta más rápidos. Y una latencia significativamente reducida. Al ejecutar modelos de lenguaje de gran tamaño (LLMs) en entornos de IA integrada en el dispositivo.

“En la era de la IA integrada, los dispositivos de almacenamiento están evolucionando. Para convertirse en un factor clave en la definición de las experiencias de inteligencia artificial”, afirmó Jangseok Choi, head de Planificación de Productos de Memoria de Samsung Electronics.

“Al avanzar con éxito más allá de la fase de desarrollo de la primera solución UFS 5.0 de la industria, Samsung establece un nuevo estándar para el almacenamiento móvil. Y continuará impulsando la innovación en el mercado de plataformas móviles de próxima generación”.

La IA generativa está migrando rápidamente de la nube a los dispositivos. Impulsando un crecimiento significativo en el volumen de datos necesarios para el procesamiento local.

Como resultado, el almacenamiento deja de ser simplemente un medio para guardar información. Y pasa a desempeñar un papel fundamental como infraestructura para la computación de IA.

La UFS 5.0 de Samsung integra el estándar más reciente de interfaz para memoria integrada de JEDEC.

Alcanzando niveles inéditos de rendimiento. Con el mayor ancho de banda de la industria. De hasta 10,8 gigabytes por segundo (GB/s).

La nueva solución de almacenamiento ofrece velocidades de lectura secuencial de hasta 10,8 GB/s. Y velocidades de escritura secuencial de hasta 9,5 GB/s.

Cifras que representan más del doble del rendimiento del estándar UFS 4.1 anterior.

Este importante avance permite un almacenamiento y procesamiento mucho más rápidos de grandes volúmenes de datos. Para aplicaciones de IA integrada.

La eficiencia energética de la UFS 5.0 de Samsung también se ha mejorado en más de un 40 %. En comparación con la solución UFS 4.1 de la compañía.

Este avance es resultado de la implementación de diversas innovaciones. Incluidas tecnologías de clock gating y múltiples voltajes.

Estas mejoras ayudan a reducir significativamente la energía necesaria para transferir la misma cantidad de datos. Disminuyendo el consumo energético total. Y ampliando la duración de la batería de los dispositivos móviles de próxima generación.

Samsung ha desarrollado la solución UFS 5.0 en un paquete ultracompacto de tan solo 7,5 mm x 13 mm x 0,9 mm.

Haciéndola un 16,7 % más pequeña que su predecesora.

Este formato ofrece una mayor flexibilidad de diseño. Y un mejor aprovechamiento del espacio interno para una amplia gama de aplicaciones.

Incluidos dispositivos móviles, wearables y dispositivos de realidad extendida (XR).

Samsung iniciará la producción en masa de la UFS 5.0 durante el cuarto trimestre de este año.

En diferentes capacidades de almacenamiento de hasta un terabyte (TB).

Con este avance tecnológico, la compañía continúa anticipándose a las necesidades de la industria. Y planea ampliar el suministro.

Para responder al crecimiento de los mercados de dispositivos de próxima generación. Que abarcan desde smartphones flagship hasta headsets XR y dispositivos wearables con IA.